三星将这款自主研发的固态硬盘芯片命名为V-NAND，它的配置参数同样为256Gbit、48层堆叠和3bpc，密度是传统128Gbit NAND闪存芯片的两倍。除了实现32GB（256Gbit）的单Die容量外，这款芯片还能轻松实现两倍于三星现有固态硬盘系列的容量，并成为多TB固态硬盘的理想解决方案。
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